lunes, 1 de abril de 2019

miércoles, 13 de marzo de 2019

V Feria Andaluza de Tecnología. Abierto el periodo de inscripción. #FANTEC19

Está abierto el plazo para participar en la Feria Andaluza de Tecnología 2019 que se celebrará en Málaga el próximo 24 de mayo.

Fantec 2019. Fuente imagen: APTA

El plazo de inscripción estará abierto hasta el próximo Domingo 31 de Marzo de 2019, a través del formulario ONLINE cuyo enlace se muestra a continuación:
La feria se celebrará el Viernes 24 de Mayo de 2019 de 9:30 a 14:00 h en las instalaciones de la Escuela Técnica Superior de Ingeniería Informática y de la Escuela Técnica Superior de Ingeniería de Telecomunicaciones de Málaga (Ubicación).

Más información:

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Concurso de Traslados 2018/2019. Secundaria

Se ha publicado la resolución provisional del Concurso de Traslados 2018/2019 para las enseñanzas de Secundaria.

* Clic en el enlace para consultar.




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domingo, 10 de febrero de 2019

1er Congreso Nacional de Tecnología

Durante los días 8 y 9 de febrero se celebró en la Escuela de Ingeniería Industrial de Málaga el primer Congreso Nacional de Tecnología. Aproximadamente doscientos profesores y profesoras de toda España asistieron a unas veinticinco ponencias y mesas redondas sobre diversas temáticas como "La tecnología en el sistema educativo español y la sociedad del siglo XXI", "Mujer y Tecnología", "STEM", "FPGAs libres", "MClon", "Impresoras 3D" y "Edubásica" entre otros. Las jornadas fueron organizadas por la PEAPT, APTA, el CEP de Málaga y la Escuela de Ingenierías Industriales de la Universidad de Málaga.

Cartel del I Congreso Nacional de Tecnología (2019)
Esperemos que en próximos años se celebren más ediciones de este interesante evento que sirve para conocer las últimas tendencias en la docencia de la Tecnología y para descubrir el excelente trabajo de nuestros compañeros.

Ponencia sobre FPGAs libres. 9 de febrero. Fuente imagen: todotecnologia-eso.blogpot.com


sábado, 2 de febrero de 2019

La memoria del ordenador (III). La memoria ROM y NVRAM.

MEMORIAS ROM (Read Only Memory): Son memorias de solo lectura. Se pueden programar (escribir) una sola vez*. Son memorias "no volátiles", es decir su contenido o información no se pierde al desconectar la alimentación. Las aplicaciones usuales son para almacenar el firmware de dispositivos. Los tiempos de escritura (grabación o borrado) son siempre mayores que los de lectura. Son básicamente de lectura.

*Nota importante: aunque se llame ROM, cualquier ubicación puede ser leída de la misma en cualquier orden, por lo que este tipo de memoria es de acceso aleatorio. Los últimos tipos de memorias ROM se pueden calificar como principalmente de lectura puesto que pueden grabarse (escribirse) un número finito de veces.

Tipos de memoria ROM:

  • Máscara ROM: Solo permiten una programación durante su fabricación. Tipos:
    • Fotomáscaras programables por medio de las cuales se define la superficie activa.
    • Fotomáscaras programables con las que se definen los orificios de contacto.
  • PROM: ROM programable una sola vez (programador PROM). Tecnología de fabricación: transistores bipolares (generalmente Schottky). Por defecto los bits vienen como "1" de fábrica y se convierten en "0" aplicando una tensión elevada entre 12 y 21 V (quemado).
    Chip de memoria EPROM
  • Chips OTP: One-Time Programmable, programables una sola vez). Tipo de EPROM que solo puede grabarse una vez.
  • EPROM: memoria no volátil. Grabación eléctrica (aplicando un voltaje superior al habitual en la lectura) y borrado con luz ultravioleta. Tecnología de fabricación: FAMOS (Transistores de puerta flotante), CMOS, NMOS y PMOS. Puede guardar la información entre 10 y 20 años. Estos chips se caracterizan por una ventanita en la parte superior que va tapada con una pegatina para evitar un borrado accidental.
Celda FAMOS. Fuente: Antonio Pedreira - Dominio público.
    • EAROM: (Electrically Alterable ROM) tipo de ROM alterable eléctricamente (lectura y escritura). Tiempos de escritura del orden de milisegundos y tiempos de lectura de microsegundos. Tecnología de fabricación: transistores MOS NMOS y estructura MIOS. 
    Celda MIOS. Fuente: Antonio Pedreira [Public domain], via Wikimedia Commons

      • EEPROM: ROM programable y borrable eléctricamente mediante control por software. Número de lecturas ilimitadas. Número de borrados y reprogramados entre 100.000 y 1.000.000. Tecnología de fabricación: MOS SAMOS.
        Celda SAMOS. Fuente: Antonio Pedreira - Dominio público.
      Memoria Flash USB
      • Flash EEPROM o memoria Flash: es una memoria EEPROM avanzada inventada en 1984 por Fujio Masuoka (Toshiba). Usos: memorias USB, tarjetas de memoria, discos SSD, memorias de teléfonos inteligentes, etc. Tecnología de fabricación: transistores FAMOS (Tipo NOR y NAND).

      MEMORIAS NVRAM: son memorias que tienen características de las ROM (no son volátiles) pero pueden grabarse un número finito de veces.  No son tan rápidas como las memorias RAM. NVRAM también incluye memorias de acceso aleatorio volátil convencionales con batería de soporte como las memorias de la BIOS (Basic Input Output System).
      Memoria NVSRAM. Dallas DS1245Y

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          jueves, 10 de enero de 2019

          La memoria del ordenador (II). Módulos RAM

          En esta segunda parte dedicada a la memoria del ordenador vamos a repasar los encapsulados más habituales de memoria RAM (Random Access Memory - Memoria de acceso aleatorio). En este tipo de memorias el tiempo de acceso a cualquier pieza de información es independiente de la ubicación física de los datos. El tiempo de acceso es constante.

          Los tipos principales son:

          MEMORIA RAM ESTÁTICA:

          * SRAM (Static Random Access Memory). Volátil pero no necesita refresco. Aplicación habitual: memoria caché. Se componen de un biestable flip-flop conectado a la circuitería interna por dos transistores de acceso. Cuando no se accede a la celda, los dos transistores permanecen cerrados, manteniendo el dato capturado en el flip-flop de una forma estable, permitiendo así el almacenamiento de datos y por lo tanto, a diferencia de las memorias RAM dinámicas, no existe la necesidad de actualizar periódicamente el contenido de la memoria.

          MEMORIA RAM DINÁMICA:

          * DRAM (Dynamic Random Access Memory):
               - PM (Page Mode)
               - FPM (Fast Page Mode)
               - EDO (Extended Data Output)
               - BEDO (Burst Extended Data Output)
           
          * RDRAM: Memoria Rambus DRAM:
               - RDRAM 184p
               - RDRAM 232p

          * SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory):
             - SDR (Single Data Rate)
             - DDR (Double Data Rate):
               - DDR (DDR1)
               - DDR2
               - DDR3
               - DDR4

          Módulos SIMM y SIPP. Fuente: todotecnologia-eso.blogspot.com
          Módulos SIMM-72p y DIMM-168p. Fuente: todotecnologia-eso.blogspot.com

          Módulos RIMM. Fuente: todotecnologia-eso.blogspot.com
           
          Instalación de módulos RIMM. Fuente: todotecnologia-eso.blogspot.com

          Módulos de memoria SDRAM- DDR. Fuente: todotecnologia-eso.blogspot.com
          Instalación de módulos DIMM. Fuente: todotecnologia-eso.blogspot.com

          Memoria para portátiles (laptops-notebook). Parte I. Fuente: todotecnologia-eso.blogspot.com

          Memoria para portátiles (laptops - notebook). Parte II: SO-DIMM DDR. Fuente: todotecnologia-eso.blogspot.com

          Más información: