Tecnología -E.S.O. e Ingeniería -Bachillerato: La memoria del ordenador (III). La memoria ROM y NVRAM.

sábado, 2 de febrero de 2019

La memoria del ordenador (III). La memoria ROM y NVRAM.

MEMORIAS ROM (Read Only Memory): Son memorias de solo lectura. Se pueden programar (escribir) una sola vez*. Son memorias "no volátiles", es decir su contenido o información no se pierde al desconectar la alimentación. Las aplicaciones usuales son para almacenar el firmware de dispositivos. Los tiempos de escritura (grabación o borrado) son siempre mayores que los de lectura. Son básicamente de lectura.

*Nota importante: aunque se llame ROM, cualquier ubicación puede ser leída de la misma en cualquier orden, por lo que este tipo de memoria es de acceso aleatorio. Los últimos tipos de memorias ROM se pueden calificar como principalmente de lectura puesto que pueden grabarse (escribirse) un número finito de veces.

Origen de la memoria ROM: Tarjetas perforadas:

Tipos de memoria ROM:

Máscara ROM: Solo permiten una programación durante su fabricación. Tipos:

Fotomáscaras programables por medio de las cuales se define la superficie activa.
Fotomáscaras programables con las que se definen los orificios de contacto.

PROM: ROM programable una sola vez (programador PROM). Tecnología de fabricación: transistores bipolares (generalmente Schottky). Por defecto los bits vienen como "1" de fábrica y se convierten en "0" aplicando una tensión elevada entre 12 y 21 V (quemado).

Chip de memoria EPROM

Chips OTP: One-Time Programmable, programables una sola vez). Tipo de EPROM que solo puede grabarse una vez.

EPROM: memoria no volátil. Grabación eléctrica (aplicando un voltaje superior al habitual en la lectura) y borrado con luz ultravioleta. Tecnología de fabricación: FAMOS (Transistores de puerta flotante), CMOS, NMOS y PMOS. Puede guardar la información entre 10 y 20 años. Estos chips se caracterizan por una ventanita en la parte superior que va tapada con una pegatina para evitar un borrado accidental.

Celda FAMOS. Fuente: Antonio Pedreira - Dominio público.

EAROM: (Electrically Alterable ROM) tipo de ROM alterable eléctricamente (lectura y escritura). Tiempos de escritura del orden de milisegundos y tiempos de lectura de microsegundos. Tecnología de fabricación: transistores MOS NMOS y estructura MIOS.

Celda MIOS. Fuente: Antonio Pedreira [Public domain], via Wikimedia Commons

EEPROM: ROM programable y borrable eléctricamente mediante control por software. Número de lecturas ilimitadas. Número de borrados y reprogramados entre 100.000 y 1.000.000. Tecnología de fabricación: MOS SAMOS.

Celda SAMOS. Fuente: Antonio Pedreira - Dominio público.

Memoria Flash USB

Flash EEPROM o memoria Flash: es una memoria EEPROM avanzada inventada en 1984 por Fujio Masuoka (Toshiba). Usos: memorias USB, tarjetas de memoria, discos SSD, memorias de teléfonos inteligentes, etc. Tecnología de fabricación: transistores FAMOS (Tipo NOR y NAND).

MEMORIAS NVRAM: son memorias que tienen características de las ROM (no son volátiles) pero pueden grabarse un número finito de veces. No son tan rápidas como las memorias RAM. NVRAM también incluye memorias de acceso aleatorio volátil convencionales con batería de soporte como las memorias de la BIOS (Basic Input Output System).